Simulation シミュレーション

設計の品質を“見える化”
開発期間とコストの最適化を支援

プリント基板シミュレーションを活用することで、インピーダンス、伝送特性、クロストーク、EMIノイズなどの課題を設計初期の段階で可視化・解析。

製造後の不具合や性能劣化リスクを未然に防ぎ、手戻りのない高精度な設計を実現します。

開発期間の短縮とコスト削減を両立しつつ、量産時の安定性や製品信頼性までを見据えた設計品質の向上を支援します。

Analysis Menu
解析メニュー

SI解析(Signal Integrity)

設計初期段階から伝送線路の解析を行い、信号品質を保つための最適な部品配置・配線を実施。実機検証時に発生するムダな費用と時間を削減し、設計の後戻りをなくして開発期間短縮・コスト削減をサポートします。

EMI解析(Electro Magnetic Interference)

EMI解析により不要電磁波放射(放射ノイズ・輻射)の原因を特定・抑制し、試作後の対策時間・コストを大幅に削減します。プレーン共振解析では電源プレーンの共振周波数を特定し、ノイズやEMIの原因となる共振現象を抑制。解析結果をもとに電源形状の見直しやコンデンサ追加で対策します。

必要資料:層構成表/信号周波数 ※2層基板は対応不可

EMI解析の結果イメージ

PI解析(Power Integrity)

電源品質解析では、インプットインピーダンス特性やIRドロップを評価し、ICへの安定した電源供給を確保します。

インプットインピーダンス解析

周波数特性を評価し、電源形状の見直しやコンデンサ追加でターゲットインピーダンス以下に抑え、ノイズ耐性を向上させます。

必要資料:解析ICのターゲットインピーダンス値/ICの電圧・消費電流(mA)/層構成/各コンデンサのSパラメータ(社内保有)

IRドロップ解析

電流経路の電圧降下を定量的に評価し、ICの動作電圧を確保。電源形状やVIA個数を調整して対策し、電圧降下による不具合を防止します。

必要資料:解析電源の電流値・電圧値/層構成/電圧降下の許容範囲

PI解析の結果イメージ

電磁界解析(協力会社依頼)

高速差動信号などの伝送品質を、協力会社と連携して精密に解析・改善します。

TDR解析(Time Domain Reflectometry)

パットやVIAのインピーダンスを解析・調整。配線幅に対しパット幅が大きく異なる場合は、パット直下のGNDを抜く・VIA周囲の銅箔との距離を調整するなどでインピーダンスの不連続をなくし整合させます。

必要資料:層構成/信号速度/配線層の指定/VIA径/部品のランド形状 等

リターンロス解析(S11・S21 ほか)

S11(反射特性)・S21(透過特性)を評価し、信号がどの程度反射・透過するかをグラフ化。問題があれば配線インピーダンスやパットの抜き等を再調整して改善します(差動信号は SDD11・SDD21 で評価)。

必要資料:コネクタSパラメータ/リターンロスの閾値/層構成

Track Record
対応実績

SI解析 対応実績

伝送速度
DDR2(333MHz) DDR3(800MHz) DDR4(最大2133MHz / 4266Mb/s) PCI-Express Gen4(16Gbps) 12G-SDI(11.88Gbps) 他多数
対応メモリ規格
DDR2 LPDDR2 DDR3 LPDDR3 DDR4 LPDDR4
メモリメーカー
Micron Cypress Hynix SK Hynix ISSI Samsung Etron Nanya ProMOS

SI解析 対応デバイス(FPGA / SoC / MCU / MPU / DSP)

Altera(Intel)FPGA / SoC

MAX 10 Cyclone 3/4/5/10GX Arria II / V / 10 Stratix III / IV

AMD(旧Xilinx)FPGA / SoC

Spartan 3/6/7 Artix 7 / UltraScale+ Kintex 7 / UltraScale Virtex 4/5/6/7 Zynq 7000 / UltraScale+ RFSoC

NXPMCU / SoC

i.MX6 i.MX7 i.MX8 LPC4337 LS1043AXE8QQB

QualcommSoC

Snapdragon 410E Snapdragon 210 Snapdragon 410

RenesasMPU / MCU

RZ/V2L RZ/V2H

Texas InstrumentsDSP / MCU / SoC

DaVinci(TMS320DM / DM6437) Sitara(AM64x / AM62x)

STMicroelectronicsMCU

STM32Fx STM32Lx STM32Hx

その他メーカー

Wolfson Microelectronics Efinix

電磁界解析 対応実績

CML(6Gbps) PCI-Express Gen4(16Gbps) CoaXPress(6.25Gbps) ほか

Equipment
保有設備

当社が保有するプリント基板設計関連設備の詳細は、以下よりご覧いただけます。

FAQ
よくある質問

どのような種類のシミュレーション解析に対応していますか?
SI解析(Signal Integrity)・EMI解析(Electro Magnetic Interference)・PI解析(Power Integrity)に加え、協力会社連携による電磁界解析(TDR解析・リターンロス解析)にも対応しています。信号品質・不要電磁波放射・電源品質・伝送特性の課題を設計初期段階で可視化・解析し、試作後の手戻りリスクを低減します。
シミュレーション解析を依頼するメリットはなんですか?
設計初期段階でインピーダンス・伝送特性・クロストーク・EMIノイズなどの問題を事前に検出できるため、製造後の不具合や性能劣化リスクを未然に防ぎ、手戻りのない高精度な設計と開発期間・コストの最適化を実現できます。
SI解析(信号解析)ではどのようなインターフェース・デバイスに対応した実績がありますか?
DDR2・DDR3・DDR4やLPDDR2・LPDDR3・LPDDR4などのメモリバス、PCI-Express Gen4・12G-SDIなどの高速インターフェースに加え、Altera(Intel)・AMD(旧Xilinx)・NXP・Qualcomm・Renesas・Texas Instruments・STMicroelectronicsなどのFPGA・SoC・MCUを対象とした解析実績があります。詳細はお問い合わせにてご確認ください。
基板設計とシミュレーション解析を一括して依頼できますか?
はい。プリント基板設計とシミュレーション解析を同一拠点で一貫して対応しています。設計と解析を連携させることで、設計品質の向上と試作での手戻り削減を実現しています。
シミュレーション解析の見積もりはどのように依頼すればよいですか?
ウェブサイトのお問い合わせフォームまたはお見積フォームよりご連絡ください。解析対象の回路・基板仕様などをお知らせいただければ、担当者より詳細をヒアリングのうえご提案いたします。
ページ先頭へ